electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160

Tổng quan vềMô-đun thyristor

Mô-đun thyristor là thành phần quan trọng trong công nghệ điện tử công suất. Chúng bao gồm một hoặc nhiều thyristor được gói gọn trong một vỏ nhỏ gọn. Thyristor có bốn lớp, thiết bị bán dẫn ba cực chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng điều khiển và điều chỉnh dòng điện AC hoặc DC công suất cao. Chúng có thể nhanh chóng chuyển từ trạng thái trở kháng cao sang trạng thái dẫn điện trở kháng thấp dựa trên tín hiệu kích hoạt, nhờ đó đạt được sự kiểm soát chính xác của dòng điện.

Tính năng và lợi ích củaMô-đun thyristor

Khả năng xử lý công suất cao: Các mô-đun thyristor có thể chịu được điện áp và dòng điện cực cao, làm cho chúng phù hợp với các hệ thống điều khiển và chuyển đổi năng lượng cấp công nghiệp.

Thời gian phản hồi nhanh: Thời gian chuyển mạch rất ngắn và tổn thất thấp đảm bảo hoạt động hiệu quả cao.

Độ tin cậy và độ bền: Thiết kế chắc chắn, hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt, và cuộc sống lâu dài.

Tích hợp dễ dàng: Thiết kế mô-đun đơn giản hóa việc cài đặt và giảm yêu cầu bảo trì.

Bảo vệ quá tải: Các cơ chế bảo vệ tích hợp như bảo vệ quá nhiệt và quá dòng giúp tăng cường an toàn cho hệ thống.

Ứng dụng đa năng: Được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng đòi hỏi điều khiển dòng điện chính xác.

(electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160)

Specification of electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160

The PK130FG160 is a high-performance IGBT component created for durable power electronics applications, integrating innovative Shielded Gateway Bipolar Transistor (IGBT) innovation with ultrafast recuperation diodes. It runs at an optimum voltage score of 1600V and a constant enthusiast current of 130A, making it appropriate for high-power systems such as industrial electric motor drives, renewable energy inverters, and UPS systems. The component features low saturation voltage (VCE(sat) of 2.2 V typical at 130A) and minimal switching losses, guaranteeing high effectiveness. Its integrated anti-parallel diodes show a reduced ahead voltage drop (VF of 1.6 V normal at 130A) and a fast reverse recovery time (trr ≤ 100ns), improving reliability in freewheeling and snubber circuits. The thyristor/SCR elements within the module support rise present taking care of as much as 800A (non-repetitive) and include a gate trigger voltage (VGT) of 3V with a holding existing (IH) of 200mA for stable switching. The MOSFET area uses reduced on-resistance (RDS(TRÊN) ≤ 25mΩ) and high-speed switching capacities (rise/fall times ≤ 50ns). Thermal efficiency is optimized with a reduced thermal resistance (Rth(j-c) ≤ 0.12 ° C/T) and an operating junction temperature variety of -40 ° C đến +150 ° C, suitable with standard heatsink installing. The component’s small, isolated baseplate design ensures very easy setup and durability in rough atmospheres. Certifications include UL recognition and RoHS conformity. Made for scalability, the PK130FG160 is ideal for applications calling for specific control, high efficiency, and lasting reliability in medium- to high-voltage systems. Additional versions in the product family support tailored setups for diodes, thyristor, SCR, and MOSFETs, tailored to details voltage/current demands.

(electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160)

Applications of electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160

The PK130FG160 IGBT module, together with diodes, thyristor, SCR, transistors, and MOSFETs, works as a keystone in modern power electronic devices, making it possible for reliable energy control throughout varied sectors. The IGBT (Shielded Entrance Bipolar Transistor) component excels in high-power switching applications, integrating the rapid switching of MOSFETs with the high-current handling of bipolar transistors. The PK130FG160, with its robust 130A/1600V ranking, is excellent for commercial electric motor drives, renewable energy inverters (solar/wind), and electrical car (xe điện) traction systems, where high voltage and thermal stability are essential. Diodes, such as freewheeling or rectifier diodes, are integral in transforming air conditioning to DC, safeguarding circuits from voltage spikes, and ensuring smooth current circulation in power supplies, bộ sạc pin, and electric motor controllers. Thyristors and SCRs (Silicon-Controlled Rectifiers) are made use of for accurate air conditioner power control in applications like lights dimmers, heater, và thiết bị thương mại. Their capacity to manage high voltages and currents makes them ideal for phase-angle control in motor speed policy and voltage stablizing. Transistors, consisting of bipolar joint transistors (BJTs), intensify and change signals in low-power circuits, frequently located in audio amplifiers, sensing unit interfaces, and control systems. MOSFETs, with their high-speed changing and reduced on-resistance, dominate in switch-mode power supplies (SMPS), Bộ chuyển đổi DC-DC, and high-frequency applications like induction home heating and RF amplifiers. The PK130FG160 IGBT component’s innovative thermal administration and low transmission losses improve performance in high-power inverters and UPS systems. Trong hệ thống năng lượng tái tạo, it makes certain stable power conversion, while in EVs, it maximizes electric motor control and energy recuperation. Together, these elements enable advancements in automation, green power, and wise grid technologies, driving dependability and performance sought after atmospheres. Their harmony in circuits makes sure seamless power conversion, defense, and control, making them indispensable ahead of time modern-day electronic devices.

Hồ sơ công ty

Công ty TNHH Công nghệ Năng lượng Lạc Dương Datang(sales@pddn.com) là một trong những doanh nghiệp hàng đầu về công nghệ điện tử công suất và các sản phẩm điện, tham gia đầy đủ vào việc phát triển bộ biến tần năng lượng mặt trời， máy biến áp, bộ điều chỉnh điện áp, tủ phân phối, thyristor， mô-đun， điốt， máy sưởi, và các thiết bị điện tử hoặc chất bán dẫn khác. Chúng tôi sẽ cam kết cung cấp cho người dùng chất lượng cao, sản phẩm hiệu quả và dịch vụ chu đáo.

Nó chấp nhận thanh toán qua thẻ tín dụng, T/T, Tây Liên, và Paypal. PDDN sẽ vận chuyển hàng hóa tới khách hàng nước ngoài thông qua FedEx, DHL, bằng đường biển, hoặc bằng đường hàng không. If you want high-quality electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160, xin vui lòng gửi cho chúng tôi yêu cầu; chúng tôi sẽ ở đây để giúp bạn.

Phương thức thanh toán

L/C, T/T, Công Đoàn Phương Tây, Paypal, Thẻ tín dụng vv.

Lô hàng

Bằng đường biển, bằng đường hàng không, bằng cách thể hiện, như khách hàng yêu cầu.

Điều kiện bảo quản

1) Bảo quản ở môi trường khô ráo ở nhiệt độ phòng.

2) Tránh ẩm ướt và nhiệt độ cao.

3) Sử dụng ngay sau khi mở túi đóng gói bên trong.

5 FAQs of electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160

The PK130FG160 IGBT Module integrates advanced power semiconductor technology for high-performance applications. Below are the top FAQs about this component:

**1. What are the primary applications of the PK130FG160 IGBT Module?**
The PK130FG160 is designed for high-power switching in industrial and commercial systems, including motor drives, UPS (nguồn cung cấp điện liên tục), renewable energy inverters (solar/wind), thiết bị hàn, và hệ thống lực kéo. Its robust design supports high voltage (up to 1600V) and current (130MỘT), making it ideal for demanding environments like electric vehicles and industrial automation.

**2. What are the key features of the PK130FG160?**
This module combines an IGBT, freewheeling diode, and thyristor/SCR elements in a single package, reducing system complexity. Key specs include a 1600V blocking voltage, 130A continuous current rating, low saturation voltage (VCE(sat)), and high switching speed. It also features low thermal resistance, built-in temperature monitoring, and short-circuit protection for enhanced reliability.

**3. How does the PK130FG160 handle thermal management?**
The module uses an insulated metal substrate and advanced packaging materials to dissipate heat efficiently. Để có hiệu suất tối ưu, it must be mounted on a heatsink with thermal grease or pads. Operating temperature ranges from -40°C to 150°C, but consistent cooling is critical to prevent overheating and ensure longevity in high-load scenarios.

**4. What advantages does the PK130FG160 offer over similar modules?**
It delivers superior power density, lower switching losses, and higher efficiency compared to standard IGBT or MOSFET modules. The integrated diode and thyristor components eliminate the need for external anti-parallel diodes, simplifying circuit design. Its rugged construction ensures durability in high-vibration or high-humidity environments.

**5. What safety precautions should be taken when using the PK130FG160?**
Always adhere to voltage/current limits to avoid overstress. Use ESD-safe handling during installation. Ensure proper insulation between the module and heatsink to prevent short circuits. Monitor operating temperatures via built-in sensors, and avoid mechanical stress on terminals. Follow manufacturer guidelines for storage (dry, <40°C) to prevent moisture damage. The PK130FG160 balances power, efficiency, and integration, making it a versatile choice for advanced electronic systems.

(electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet PK130FG160)