R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor

Przegląd tyrystora szybkiego wyłączania (GTO)

Tyrystor szybkiego wyłączania, powszechnie nazywany tyrystorem wyłączającym bramkę (GTO), to rodzaj urządzenia półprzewodnikowego, które można włączać i wyłączać za pomocą sygnału bramki. W przeciwieństwie do standardowych tyrystorów, które można włączyć jedynie za pomocą sygnału bramki i wyłączyć poprzez zmniejszenie przepływającego przez nie prądu poniżej pewnego progu (trzyma prąd), GTO można aktywnie wyłączyć, stosując ujemny impuls bramki. Ta funkcja pozwala na bardziej precyzyjną kontrolę nad zachowaniem przełączania urządzenia.
GTO są wykorzystywane w zastosowaniach wymagających dużej mocy, takich jak napędy silnikowe, zasilacze, i falowniki, gdzie umożliwiają szybkie i kontrolowane przełączanie dużych prądów. Działają przy wyższych prądach i napięciach niż większość innych typów tranzystorów, dzięki czemu nadają się do ciężkich zastosowań przemysłowych i komercyjnych.

Cechy tyrystora szybkiego wyłączania (GTO)

Możliwość aktywnego wyłączania: Można wyłączyć poprzez zastosowanie ujemnego impulsu bramki, zapewniając lepszą kontrolę nad przełączaniem.
Obsługa dużej mocy: Potrafi zarządzać wysokim poziomem mocy, o wartościach znamionowych często przekraczających wartości konwencjonalnych tyrystorów.
Szybkie przełączanie: Zaprojektowane z myślą o krótkim czasie włączania i wyłączania, umożliwiając wydajną pracę w obwodach konwersji mocy.
Duża pojemność prądowa: Potrafi wytrzymać znaczne prądy, co czyni je idealnymi do zastosowań wymagających znacznego dostarczania mocy.
Tolerancja wysokiego napięcia: Wytrzymuje wysokie napięcia, przyczyniając się do ich niezawodności w wymagających środowiskach.
Niski spadek napięcia w stanie włączenia: Minimalizuje straty mocy podczas przewodzenia, poprawę ogólnej wydajności.
Wymagania dotyczące napędu bramy: Wymaga starannego zaprojektowania obwodów napędu bramy, aby zapewnić niezawodne działanie włączania i wyłączania.
Złożone obwody sterujące: Ze względu na potrzebę stosowania zarówno dodatnich, jak i ujemnych impulsów bramkowych, obwody sterujące mogą być bardziej złożone w porównaniu z prostszymi tyrystorami.
Obwody tłumiące: Często wymagają obwodów tłumiących w celu ochrony przed skokami napięcia podczas przełączania.
Zarządzanie ciepłem: Efektywne odprowadzanie ciepła ma kluczowe znaczenie ze względu na wysoki poziom mocy.

(R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor)

Specification of R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor

The R1275NS21J is a high-power distributed gateway thyristor designed for quick turn-off applications. It manages as much as 1250A present and 2100V voltage, making it appropriate for requiring commercial and energy systems. The tool utilizes innovative dispersed gateway modern technology to improve changing efficiency and lower turn-off time. This makes sure trustworthy operation in high-frequency circuits where rapid closure is vital.

The thyristor’s framework enhances existing distribution throughout the silicon wafer. This lessens locations and improves thermal stability. The fast turn-off ability reduces energy loss during switching. This enhances performance in systems like motor drives, materiały energetyczne, and renewable resource converters. The style also sustains parallel operation for higher present handling in large installments.

Key specs include a maximum repetitive top off-state voltage of 2100V and an average on-state current of 1250A. The important rate of rise of off-state voltage (dv/dt) surpasses 1000V/ μs, protecting against unintentional triggering. The gate trigger current is kept low to streamline control circuitry. The device runs within a joint temperature level variety of -40 ° C do +125 °C, guaranteeing efficiency in rough environments.

The dispersed gateway design decreases entrance inductance and resistance. This permits much faster proliferation of the trigger signal throughout the thyristor surface area. Uniform triggering decreases hold-ups and boosts turn-on uniformity. The fast turn-off time, commonly under 20 mikrosekundy, cuts switching losses. This prolongs gadget life-span and minimizes cooling requirements.

Robust building and construction utilizes pressure-mounted packaging for reliable warm dissipation. The thyristor integrates with typical heatsinks and placing hardware. This streamlines upgrades in existing systems. Applications consist of HVDC transmission, industrial inverters, and pulsed power systems. The R1275NS21J fulfills global requirements for dependability and safety. Examining consists of high-voltage endurance, cykl termiczny, and surge existing validation.

The tool is optimal for engineers needing high-speed switching without compromising power handling. Its equilibrium of performance and sturdiness makes it a practical option for modern-day power electronic devices.

(R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor)

Applications of R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor

The R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gateway Thyristor is a high-power semiconductor device designed for effective changing in demanding applications. It manages large currents approximately 1250A and voltages as much as 2100V. Its quick turn-off capability lowers changing losses. This makes it suitable for high-frequency operations. The dispersed gateway structure improves triggering reliability. It ensures also current circulation across the device.

This thyristor works well in industrial motor drives. It regulates speed and torque in heavy equipment. The rapid turn-off function reduces power waste. It keeps systems cool under heavy lots. Power products in factories benefit from its stability. It manages sudden voltage spikes without failure.

Renewable energy systems use this thyristor in inverters. Solar and wind power configurations transform DC to a/c effectively. The high voltage rating takes care of grid-level power flow. Quick switching makes sure smooth energy transfer. It minimizes downtime in variable weather conditions.

Electric trains and trams depend on these thyristors for grip control. They change power to motors throughout acceleration or braking. The device’s toughness fits severe atmospheres. Resonance and temperature adjustments do not affect performance. Public transportation systems keep integrity over long periods.

HVDC (High-Voltage Direct Existing) transmission utilizes this element for long-distance power transfer. It decreases losses over thousands of kilometers. The thyristor’s reduced leak current improves efficiency. It supports stable connections in between regional grids.

Pulsed power systems in medical or research equipment use this thyristor. It provides accurate, high-energy pulses. Lasers and MRI makers run with accuracy. The rapid turn-off time makes sure sharp pulse sides. This avoids overlaps in delicate measurements.

Industrial welding makers incorporate this tool for constant arc control. It adjusts existing rapidly for different materials. The thyristor holds up against repetitive high-load cycles. Upkeep prices drop because of prolonged life expectancy.

Electric motor soft beginners in mining or a/c systems minimize mechanical stress. The thyristor ramps up power slowly. It prevents unexpected shocks in hefty motors. Power intake stays enhanced during startup.

The R1275NS21J matches applications requiring robust performance. Its style focuses on performance and reliability. Industries count on it for important power monitoring tasks.

Profil firmy

PDDN Photoelectron Technology Co., z oo(sprzedaż@pddn.com) jest jednym z wiodących przedsiębiorstw w dziedzinie technologii energoelektroniki i produktów energetycznych, która jest w pełni zaangażowana w rozwój falowników fotowoltaicznych， transformatory, regulatory napięcia, szafy dystrybucyjne, tyrystory， moduły， diody， grzejniki, i inne urządzenia elektroniczne lub półprzewodniki. Dołożymy wszelkich starań, aby zapewnić użytkownikom wysoką jakość, wydajne produkty i przemyślana obsługa.

Akceptuje płatności kartą kredytową, T/T, Unia Zachodnia, i PayPal. PDDN wyśle ​​towary do klientów za granicą za pośrednictwem FedEx, DHL, drogą morską, lub drogą powietrzną. If you want high-quality R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor, prosimy o przesyłanie zapytań; będziemy tutaj, aby Ci pomóc.

Metody płatności

Akredytywa, T/T, Western Union, PayPal, Karta kredytowa itp.

Wysyłka

Drogą morską, drogą powietrzną, ekspresowo, zgodnie z życzeniem klientów.

Warunki przechowywania

1) Przechowywać w suchym środowisku w temperaturze pokojowej.

2) Unikaj wilgoci i wysokiej temperatury.

3) Zużyć natychmiast po otwarciu wewnętrznego opakowania.

5 FAQs of R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor

The R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate Thyristor is a high-power semiconductor device designed for fast switching in demanding applications. Below are answers to common questions about this component.

What is the R1275NS21J thyristor used for? This thyristor handles high voltage and current in industrial systems. It is ideal for power control in motor drives, renewable energy converters, and high-voltage DC transmission. The fast turn-off feature ensures quick response in circuits needing precise timing.

What makes the Distributed Gate design special? The gate structure spreads triggering signals evenly across the silicon wafer. This reduces hotspots during switching. It improves reliability under high-stress conditions. The design also supports faster turn-off times compared to standard thyristors.

How does the fast turn-off feature work? The thyristor uses advanced doping and gate engineering. This speeds up charge carrier removal when switching off. It cuts transition time from conducting to blocking states. Faster turn-off minimizes energy loss and heat generation during operation.

What are the voltage and current ratings? The device handles up to 2100V blocking voltage. It supports 1250A average current in steady-state conditions. These ratings suit high-power applications requiring stable performance under heavy loads.

Is this thyristor reliable for industrial use? Tak. Robust construction and quality materials ensure long-term durability. It withstands thermal cycling and electrical stress. Testing confirms performance in extreme temperatures and voltage spikes. Proper cooling and mounting are critical for optimal lifespan.

The R1275NS21J meets global standards for safety and efficiency. Engineers choose it for systems needing fast switching, high power handling, and minimal downtime.

(R1275NS21J 1250A 2100V Distributed Gate thyristors fast turn off thyristor Distributed Gate Thyristor)