электроника компоненті IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160

шолуТиристорлық модульдер

Тиристорлық модульдер қуатты электроника технологиясындағы негізгі компоненттер болып табылады. Олар ықшам корпуста қапталған бір немесе бірнеше тиристорлардан тұрады. Тиристорлар төрт қабатты, негізінен жоғары қуатты айнымалы немесе тұрақты токты басқаратын және реттейтін қолданбаларда қолданылатын үш терминалды жартылай өткізгіш құрылғылар. Олар триггер сигналына негізделген жоғары кедергілі күйден төмен кедергілі өткізгіштік күйге жылдам ауыса алады., осылайша токты дәл бақылауға қол жеткізу.

Ерекшеліктері мен артықшылықтарыТиристорлық модульдер

Жоғары қуатты өңдеу мүмкіндігі: Тиристорлық модульдер өте жоғары кернеулер мен токтарға төтеп бере алады, оларды өнеркәсіптік деңгейдегі қуатты түрлендіру және басқару жүйелері үшін қолайлы етеді.

Жылдам жауап беру уақыты: Өте қысқа ауысу уақыттары және аз жоғалтулар жоғары тиімділікті қамтамасыз етеді.

Сенімділік пен төзімділік: Берік дизайн, қатал ортада тұрақты жұмыс, және ұзақ өмір.

Оңай интеграция: Модульдік дизайн орнатуды жеңілдетеді және техникалық қызмет көрсету талаптарын азайтады.

Шамадан тыс жүктемеден қорғау: Шамадан тыс температура мен шамадан тыс ток қорғанысы сияқты кіріктірілген қорғаныс механизмдері жүйе қауіпсіздігін арттырады.

Әмбебап қолданбалар: Ағымды дәл бақылауды қажет ететін әртүрлі қолданбаларда кеңінен қолданылады.

(электроника компоненті IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160)

Электрондық құрамдас бөлігінің сипаттамасы IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторы mosfet PK130FG160

The PK130FG160 is a high-performance IGBT component created for durable power electronics applications, integrating innovative Shielded Gateway Bipolar Transistor (IGBT) innovation with ultrafast recuperation diodes. It runs at an optimum voltage score of 1600V and a constant enthusiast current of 130A, making it appropriate for high-power systems such as industrial electric motor drives, жаңартылатын энергия инверторлары, және UPS жүйелері. The component features low saturation voltage (VCE(отырды) ның 2.2 V typical at 130A) and minimal switching losses, guaranteeing high effectiveness. Its integrated anti-parallel diodes show a reduced ahead voltage drop (VF of 1.6 V normal at 130A) and a fast reverse recovery time (trr ≤ 100ns), improving reliability in freewheeling and snubber circuits. The thyristor/SCR elements within the module support rise present taking care of as much as 800A (non-repetitive) and include a gate trigger voltage (VGT) of 3V with a holding existing (IH) of 200mA for stable switching. The MOSFET area uses reduced on-resistance (RDS(on) ≤ 25mΩ) and high-speed switching capacities (rise/fall times ≤ 50ns). Thermal efficiency is optimized with a reduced thermal resistance (Rth(j-c) ≤ 0.12 ° C/W) and an operating junction temperature variety of -40 ° C дейін +150 ° C, suitable with standard heatsink installing. The component’s small, isolated baseplate design ensures very easy setup and durability in rough atmospheres. Certifications include UL recognition and RoHS conformity. Made for scalability, the PK130FG160 is ideal for applications calling for specific control, жоғары тиімділік, and lasting reliability in medium- to high-voltage systems. Additional versions in the product family support tailored setups for diodes, тиристорлар, SCRs, және MOSFET, tailored to details voltage/current demands.

(электроника компоненті IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160)

Электрондық компонентті қолдану IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160

The PK130FG160 IGBT module, together with diodes, тиристорлар, SCRs, транзисторлар, және MOSFET, works as a keystone in modern power electronic devices, making it possible for reliable energy control throughout varied sectors. The IGBT (Shielded Entrance Bipolar Transistor) component excels in high-power switching applications, integrating the rapid switching of MOSFETs with the high-current handling of bipolar transistors. The PK130FG160, with its robust 130A/1600V ranking, is excellent for commercial electric motor drives, жаңартылатын энергия инверторлары (solar/wind), and electrical car (EV) traction systems, where high voltage and thermal stability are essential. Diodes, such as freewheeling or rectifier diodes, are integral in transforming air conditioning to DC, safeguarding circuits from voltage spikes, and ensuring smooth current circulation in power supplies, батарея зарядтағыштары, and electric motor controllers. Thyristors and SCRs (Кремниймен басқарылатын түзеткіштер) are made use of for accurate air conditioner power control in applications like lights dimmers, heater, және коммерциялық жабдықтар. Their capacity to manage high voltages and currents makes them ideal for phase-angle control in motor speed policy and voltage stablizing. Transistors, consisting of bipolar joint transistors (BJTs), intensify and change signals in low-power circuits, frequently located in audio amplifiers, sensing unit interfaces, and control systems. MOSFETs, with their high-speed changing and reduced on-resistance, dominate in switch-mode power supplies (SMPS), DC-DC converters, and high-frequency applications like induction home heating and RF amplifiers. The PK130FG160 IGBT component’s innovative thermal administration and low transmission losses improve performance in high-power inverters and UPS systems. Жаңартылатын энергия жүйелерінде, it makes certain stable power conversion, while in EVs, it maximizes electric motor control and energy recuperation. Together, these elements enable advancements in automation, green power, and wise grid technologies, driving dependability and performance sought after atmospheres. Their harmony in circuits makes sure seamless power conversion, defense, and control, making them indispensable ahead of time modern-day electronic devices.

Компания профилі

Luoyang Datang Energy Tech Co.Ltd(sales@pddn.com) энергетикалық электроника технологиясы мен энергетикалық өнімдер саласындағы жетекші кәсіпорындардың бірі болып табылады, ол күн инверторларын әзірлеуге толығымен қатысады， трансформаторлар, кернеу реттегіштері, тарату шкафтары, тиристорлар， модульдер， диодтар， жылытқыштар, және басқа электрондық құрылғылар немесе жартылай өткізгіштер. Біз пайдаланушыларға жоғары сапаны қамтамасыз етуге міндетті боламыз, тиімді өнімдер және мұқият қызмет көрсету.

Несие картасы арқылы төлемді қабылдайды, Т/Т, Батыс Одағы, және Paypal. PDDN тауарларды FedEx арқылы шетелдегі тұтынушыларға жеткізеді, DHL, теңіз арқылы, немесе әуе арқылы. Егер сіз жоғары сапалы электрониканы алғыңыз келсе IGBT MODULE диодты тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160, бізге сұраулар жіберуіңізді сұраймыз; біз сізге көмектесу үшін осында боламыз.

Төлем әдістері

L/C, Т/Т, Вестерн юнион, Paypal, Несие картасы және т.

жөнелту

Теңіз арқылы, әуе арқылы, экспресс арқылы, тұтынушылардың сұрауы бойынша.

Сақтау шарттары

1) Бөлме температурасында құрғақ ортада сақтаңыз.

2) Ылғалды және жоғары температурадан аулақ болыңыз.

3) Ішкі қаптаманы ашқаннан кейін дереу пайдаланыңыз.

5 Электрондық құрамдас бөлік туралы жиі қойылатын сұрақтар IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160

The PK130FG160 IGBT Module integrates advanced power semiconductor technology for high-performance applications. Below are the top FAQs about this component:

**1. What are the primary applications of the PK130FG160 IGBT Module?**
The PK130FG160 is designed for high-power switching in industrial and commercial systems, мотор жетектерін қоса, Юнайтед Пансел Сервис (uninterruptible power supplies), жаңартылатын энергия инверторлары (solar/wind), дәнекерлеу жабдықтары, and traction systems. Its robust design supports high voltage (up to 1600V) and current (130А), making it ideal for demanding environments like electric vehicles and industrial automation.

**2. What are the key features of the PK130FG160?**
This module combines an IGBT, freewheeling diode, and thyristor/SCR elements in a single package, reducing system complexity. Key specs include a 1600V blocking voltage, 130A continuous current rating, low saturation voltage (VCE(отырды)), and high switching speed. It also features low thermal resistance, built-in temperature monitoring, and short-circuit protection for enhanced reliability.

**3. How does the PK130FG160 handle thermal management?**
The module uses an insulated metal substrate and advanced packaging materials to dissipate heat efficiently. Оңтайлы өнімділік үшін, it must be mounted on a heatsink with thermal grease or pads. Operating temperature ranges from -40°C to 150°C, but consistent cooling is critical to prevent overheating and ensure longevity in high-load scenarios.

**4. What advantages does the PK130FG160 offer over similar modules?**
It delivers superior power density, lower switching losses, and higher efficiency compared to standard IGBT or MOSFET modules. The integrated diode and thyristor components eliminate the need for external anti-parallel diodes, simplifying circuit design. Its rugged construction ensures durability in high-vibration or high-humidity environments.

**5. What safety precautions should be taken when using the PK130FG160?**
Always adhere to voltage/current limits to avoid overstress. Use ESD-safe handling during installation. Ensure proper insulation between the module and heatsink to prevent short circuits. Monitor operating temperatures via built-in sensors, and avoid mechanical stress on terminals. Follow manufacturer guidelines for storage (dry, <40°C) to prevent moisture damage. The PK130FG160 balances power, efficiency, and integration, making it a versatile choice for advanced electronic systems.

(электроника компоненті IGBT МОДУЛЫ Диод тиристор SCR транзисторлары mosfet PK130FG160)