electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4

Superrigardo deTiristoraj Moduloj

Tiristormoduloj estas ŝlosilaj komponentoj en potenca elektronika teknologio. Ili konsistas el unu aŭ pluraj tiristoroj enkapsuligitaj en kompakta loĝejo. Tiristoroj estas kvartavolaj, tri-finaj duonkonduktaĵoj kiuj estas ĉefe uzitaj en aplikoj kiuj kontrolas kaj reguligas alt-potencan AC aŭ DC-fluon. Ili povas rapide ŝanĝi de alt-impedanca stato al malalt-impedanca kondukta stato bazita sur ellasilsignalo, tiel atingante precizan kontrolon de fluo.

Trajtoj kaj Avantaĝoj deTiristoraj Moduloj

Alta potenco pritraktanta kapablon: Tiristormoduloj povas elteni ekstreme altajn tensiojn kaj fluojn, igante ilin taŭgaj por industria-grada potenca konvertiĝo kaj kontrolsistemoj.

Rapida responda tempo: Tre mallongaj ŝanĝaj tempoj kaj malaltaj perdoj certigas alt-efikecan operacion.

Fidindeco kaj fortikeco: Fortika dezajno, stabila operacio en severaj medioj, kaj longa vivo.

Facila integriĝo: Modula dezajno simpligas instaladon kaj reduktas funkciservajn postulojn.

Superŝarĝa protekto: Enkonstruitaj protektaj mekanismoj kiel tro-temperaturo kaj tro-kurenta protekto plibonigas sisteman sekurecon.

Versatilaj aplikoj: Vaste uzata en diversaj aplikoj postulantaj precizan nunan kontrolon.

(electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4)

Specification of electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4

The FS150R12KT4 is a high-performance IGBT component made for industrial power applications, integrating sophisticated Protected Entrance Bipolar Transistor (IGBT) innovation and ultra-fast diode components. This component is maximized for high-efficiency changing in demanding atmospheres such as motor drives, sistemoj de renovigeblaj rimedoj, and commercial inverters.

** Key Specs: **.
– ** Voltage Rankings: ** The IGBT supports an optimum collector-emitter voltage (Vces) de 1200V, while the integrated diode has a reverse voltage (Vrr) de 1200V.
– ** Existing Ratings: ** Constant collection agency existing (Ic) is rated at 150A at 80 °C, with a pulsed current capability of as much as 300A. The diode’s average ahead existing (Ifav) is 150A.
– ** Switching over Efficiency: ** Low saturation voltage (Vce( sat)) de 2.1 V at 150A ensures minimal transmission losses. Turn-on and turn-off times are enhanced for high-frequency procedure, lowering switching losses.
– ** Termika Administrado: ** Reduced thermal resistance (Rth( j-c)) de 0.12 ° C/W for the IGBT and 0.15 ° C/W for the diode ensures efficient heat dissipation. The component runs within a junction temperature series of -40 °C al +150 °C.- ** Diode Characteristics: ** The anti-parallel diode features a quick reverse recuperation time (trr) of 85ns, decreasing reverse recuperation losses and enhancing system performance.
– ** Package: ** Compact and durable 62mm x 108mm x 30mm module with screw terminals for safe high-current links. Includes electric seclusion (2500V AC/min) between elements and heatsink.
– ** Integrated Security: ** Integrated NTC thermistor enables real-time temperature level surveillance, while short-circuit and overcurrent defense safeguards the component.

** Kongrueco & Aplikoj: ** The FS150R12KT4 is compatible with conventional entrance drivers and control ICs, making it excellent for three-phase inverters, UPS-sistemoj, and welding devices. While the component itself integrates IGBTs and diodes, exterior MOSFETs, SCRoj, or thyristors might be made use of in auxiliary circuits for snubber networks or complementary power phases.

This component balances high power density, dependability, kaj termika rendimento, meeting rigorous industrial standards for long life and effectiveness in high-voltage, high-current applications.

(electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4)

Applications of electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4

The FS150R12KT4 is a high-performance IGBT (Shielded Gateway Bipolar Transistor) component developed for demanding power electronic devices applications. Incorporating an IGBT, diodo, and advanced product packaging, this 1200V, 150A module provides efficient switching, termika sekureco, and toughness in high-power systems. Its integration of important elements like freewheeling diodes makes sure trustworthy procedure in circuits calling for bidirectional present circulation, igante ĝin ideala por industria, renovigebla rimedo, and automotive applications.

** Industriaj Motoraj Veturadoj: ** The FS150R12KT4 excels in variable-frequency drives (VFD-oj) and servo controllers, where specific electric motor rate and torque control are important. Its low switching losses and high current capability enhance energy efficiency in manufacturing equipment, pumpiloj, and compressors.

** Renewable Resource Equipments: ** En sunaj invetiloj kaj ventogeneratoraj konvertiloj, the component transforms DC to air conditioner power with very little losses. The anti-parallel diodes handle reverse recuperation, while the IGBT manages high-voltage changing, ensuring steady grid assimilation and optimum power harvest.

** Seninterrompebla Potenca Materialo (UPS): ** The component’s fast switching capability gives smooth power shift throughout blackouts, crucial for data centers and medical care centers. Its toughness supports continual procedure under heavy loads.

** Veldado Iloj: ** The FS150R12KT4 allows accurate existing control in arc welding makers, ensuring regular performance and reduced warm dissipation.

** Electric Vehicles (EVs): ** Utilized in traction inverters, the component efficiently drives EV electric motors, enhancing battery variety and velocity.

Enhancing the IGBT module, ** tiristoroj (SCRoj)** control high-power air conditioner systems, such as lighting controls and industrial heating units. ** MOSFETs ** deal with high-frequency changing in SMPS and RF amplifiers, while ** transistors ** magnify signals in sound and control circuits. ** IC chips ** incorporate logic and defense attributes, optimizing system intelligence. Kun unu la alian, these components– consisting of the FS150R12KT4– develop the foundation of contemporary electronic devices, making it possible for technology in automation, clean power, and wise modern technologies. Their synergy ensures dependability, agado, and scalability throughout markets, from hefty equipment to consumer electronics.

Kompanio Profilo

Luoyang Datang Energy Tech Co.Ltd(sales@pddn.com) estas unu el la ĉefaj entreprenoj en elektronika teknologio kaj potencaj produktoj, kiu estas plene implikita en evoluigado de sunaj invetiloj， transformiloj, reguligiloj de tensio, distribuaj kabinetoj, tiristoroj， moduloj， diodoj， hejtiloj, kaj aliaj elektronikaj aparatoj aŭ duonkonduktaĵoj. Ni devontiĝos provizi uzantojn per altkvalita, efikaj produktoj kaj zorgema servo.

Ĝi akceptas pagon per Kreditkarto, T/T, Okcidenta Unio, kaj Paypal. PDDN sendos la varojn al klientoj eksterlande per FedEx, DHL, per maro, aŭ per aero. If you want high-quality electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4, bonvolu sendi al ni demandojn; ni estos ĉi tie por helpi vin.

Pag-Metodoj

L/C, T/T, Okcidenta Unio, Paypal, Kreditkarto ktp.

Sendo

Ĉe la maro, per aero, per ekspreso, kiel klientoj petas.

Kondiĉoj de Stokado

1) Konservu en seka medio ĉe ĉambra temperaturo.

2) Evitu malsekan kaj altan temperaturon.

3) Uzu tuj post malfermi la internan pakan sakon.

5 FAQs of electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4

The FS150R12KT4 is a high-performance IGBT module designed for power electronics applications. Below are five common FAQs with direct answers:

**1. What are the primary applications of the FS150R12KT4 IGBT module?**
The FS150R12KT4 is ideal for high-power switching in industrial motor drives, sistemoj de renovigeblaj energioj (solar/wind inverters), UPS-sistemoj, electric vehicle charging stations, kaj velda ekipaĵo. Its robust design supports high voltage (1200V) and current (150A) handling, igante ĝin taŭga por postulemaj medioj.

**2. What key features enhance its performance?**
This module integrates advanced IGBT and diode technology, offering low saturation voltage (VCE(sat)) for reduced conduction losses and high switching efficiency. It includes a built-in temperature sensor for thermal monitoring, anti-parallel diodes for freewheeling current protection, and a compact, isolated package for easy mounting and heat dissipation.

**3. Kio estas la tensio kaj aktuala taksoj?**
The FS150R12KT4 has a maximum collector-emitter voltage (VCES) of 1200V and a continuous collector current (IC) of 150A at 80°C. Peak current handling can reach up to 300A, ensuring reliability during transient overloads.

**4. How is thermal management addressed?**
Efficient heat dissipation is achieved through an aluminum nitride (AlN) ceramic substrate and low thermal resistance design. Users must pair the module with a properly sized heatsink, thermal paste, and active cooling (fans or liquid cooling) in high-load applications. Operating temperature should stay below 150°C to prevent damage.

**5. What ensures long-term reliability?**
Vivdaŭro dependas de funkciaj kondiĉoj. Staying within rated voltage, aktuala, and temperature limits is critical. Evitu mekanikan streĉon dum instalado, ensure clean power input to reduce voltage spikes, and follow the manufacturer’s guidelines for storage and handling. Regular maintenance and thermal cycling checks further enhance durability, typically offering tens of thousands of hours in standard applications.

(electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips FS150R12KT4)