DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components

এর ওভারভিউথাইরিস্টর মডিউল

থাইরিস্টর মডিউলগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স প্রযুক্তির মূল উপাদান. তারা একটি কমপ্যাক্ট হাউজিং মধ্যে আবদ্ধ এক বা একাধিক থাইরিস্টর নিয়ে গঠিত. থাইরিস্টর চার-স্তর, থ্রি-টার্মিনাল সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা প্রাথমিকভাবে অ্যাপ্লিকেশানগুলিতে ব্যবহৃত হয় যা উচ্চ-ক্ষমতার এসি বা ডিসি কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ ও নিয়ন্ত্রণ করে. একটি ট্রিগার সংকেতের উপর ভিত্তি করে তারা দ্রুত একটি উচ্চ-প্রতিবন্ধক অবস্থা থেকে একটি নিম্ন-প্রতিবন্ধক পরিবাহী অবস্থায় যেতে পারে, যার ফলে কারেন্টের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ অর্জন করা যায়.

এর বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধাথাইরিস্টর মডিউল

উচ্চ ক্ষমতা হ্যান্ডলিং ক্ষমতা: থাইরিস্টর মডিউলগুলি অত্যন্ত উচ্চ ভোল্টেজ এবং স্রোত সহ্য করতে পারে, শিল্প-গ্রেড পাওয়ার রূপান্তর এবং নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থার জন্য তাদের উপযুক্ত করে তোলে.

দ্রুত প্রতিক্রিয়া সময়: খুব সংক্ষিপ্ত সুইচিং সময় এবং কম লোকসান উচ্চ-দক্ষতা অপারেশন নিশ্চিত করে.

নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থায়িত্ব: রুক্ষ নকশা, কঠোর পরিবেশে স্থিতিশীল অপারেশন, এবং দীর্ঘ জীবন.

সহজ ইন্টিগ্রেশন: মডুলার ডিজাইন ইনস্টলেশন সহজ করে এবং রক্ষণাবেক্ষণের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে.

ওভারলোড সুরক্ষা: অন্তর্নির্মিত সুরক্ষা ব্যবস্থা যেমন অতিরিক্ত-তাপমাত্রা এবং অতিরিক্ত-বর্তমান সুরক্ষা সিস্টেমের নিরাপত্তা বাড়ায়.

বহুমুখী অ্যাপ্লিকেশন: সুনির্দিষ্ট বর্তমান নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশন বিভিন্ন ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত.

(DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components)

Specification of DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components

The DIODE IXDN55N120D1 is an IGBT module created for high-power changing applications. It integrates the functions of an Insulated Gateway Bipolar Transistor (IGBT) and a thyristor (SCR) to supply reliable performance in demanding atmospheres. The component operates at a voltage rating of 1200V and a continual existing capacity of 55A. This makes it appropriate for industrial electric motor drives, power materials, এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য সম্পদ সিস্টেম. The device utilizes sophisticated semiconductor modern technology to ensure low conduction losses and high changing speeds. It achieves this through a reduced saturation voltage of 1.8 V at ranked present, boosting power performance.

Thermal administration is a crucial emphasis. The module features a low thermal resistance of 0.25 ° C/W, making it possible for reliable warmth dissipation. This layout reduces the risk of overheating during prolonged procedure. The bundle includes an integrated fast-recovery diode for reverse voltage defense. This shields the IGBT from voltage spikes and improves system dependability. The tool supports a vast temperature array, from -40 °সে থেকে 150 °সে. This allows steady efficiency in rough conditions.

Placing and integration are uncomplicated. The IXDN55N120D1 makes use of a common component format suitable with common heatsinks and placing hardware. The terminals are created for safe connections, minimizing contact resistance. Electric seclusion between eviction and main terminals guarantees user security. Eviction drive voltage need is 15V, simplifying control circuit design.

Applications consist of motor control, uninterruptible power materials (ইউপিএস), and electric lorry charging systems. The module’s tough building withstands mechanical anxiety and resonance. It meets worldwide standards for electro-magnetic compatibility (EMC), reducing interference with close-by parts. The gadget additionally features short-circuit defense, automatically restricting present during faults.

Durability is focused on. The IXDN55N120D1 undertakes strenuous screening for thermal biking and humidity resistance. This ensures lasting operation in commercial or outdoor setups. The small design saves area in power electronics assemblies. Individuals take advantage of reduced upkeep requirements and extended service life.

The component works with basic soldering and assembly processes. This simplifies manufacturing and fixings. Technical support includes thorough datasheets with efficiency curves and application guidelines. Designers can maximize efficiency by readjusting gate resistor worths and drive timing. The IXDN55N120D1 equilibriums expense and efficiency, making it a sensible selection for high-power digital systems.

(DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components)

Applications of DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components

The DIODE IXDN55N120D1 IGBT component combines protected gateway bipolar transistor (IGBT) and thyristor (SCR) innovations. It offers high-power digital systems requiring efficient changing and durable efficiency. This part takes care of big voltages and currents. It suits industrial applications demanding reliability under challenging problems.

Electric motor drive systems use this module for regulating electrical motors. It manages speed and torque in machinery like pumps and compressors. Factories count on it for smooth operation of automated devices. Power provides benefit from its quick switching ability. It lowers energy loss in converters and inverters. Renewable energy systems use it in solar inverters and wind generator controllers. It transforms DC power to air conditioning efficiently.

Industrial heating unit utilize the module for specific temperature level policy. It switches high currents swiftly in induction heating systems. Welding equipment utilizes it to keep secure arcs. This guarantees constant weld quality. Transportation systems integrate the module in electrical automobile drivetrains. It manages power circulation in grip control devices. Trains and hybrid autos rely on its sturdiness.

The thyristor function gives reputable surge defense. It handles unexpected voltage spikes in power grids. Uninterruptible power materials (ইউপিএস) utilize it to prevent downtime during interruptions. The IGBT framework makes sure low transmission losses. It boosts performance in high-frequency applications. Thermal efficiency is enhanced via advanced packaging. Warmth dissipation remains secure also under heavy loads.

Designers pick this component for its compact layout. It simplifies assimilation into intricate circuits. Upkeep requirements are minimal as a result of tough construction. The component runs in temperatures from -40 °সে থেকে 150 °সে. It satisfies security requirements for industrial and auto use. Checking validates resistance to resonance and moisture.

The IXDN55N120D1 supports voltages up to 1200V. Present scores get to 55A continuously. Changing rates are maximized for marginal hold-up. Identical setups enable scaling for higher power needs. Compatibility with common drivers lowers growth time. Data sheets give clear guidelines for installment.

This module addresses difficulties in modern-day power electronic devices. It balances efficiency with cost-effectiveness. Industries prioritize it for upgrading tradition systems. Innovations in semiconductor materials improve its longevity. Future applications may broaden into clever grid innovation.

কোম্পানির প্রোফাইল

Luoyang Datang Energy Tech Co.Ltd(sales@pddn.com) পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স প্রযুক্তি এবং পাওয়ার পণ্যগুলির নেতৃস্থানীয় উদ্যোগগুলির মধ্যে একটি, যা সৌর বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল উন্নয়নে সম্পূর্ণভাবে জড়িত， ট্রান্সফরমার, ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক, বিতরণ ক্যাবিনেট, thyristors， মডিউল， ডায়োড， হিটার, এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক ডিভাইস বা সেমিকন্ডাক্টর. আমরা উচ্চ মানের সঙ্গে ব্যবহারকারীদের প্রদান করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ হবে, দক্ষ পণ্য এবং বিবেচ্য সেবা.

এটি ক্রেডিট কার্ডের মাধ্যমে অর্থপ্রদান গ্রহণ করে, টি/টি, পশ্চিম ইউনিয়ন, এবং পেপ্যাল. PDDN FedEx এর মাধ্যমে বিদেশী গ্রাহকদের কাছে পণ্য পাঠাবে, ডিএইচএল, সমুদ্র দ্বারা, বা বায়ু দ্বারা. If you want high-quality DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components, আমাদের অনুসন্ধান পাঠান দয়া করে; আমরা এখানে আপনাকে সাহায্য করতে হবে.

পেমেন্ট পদ্ধতি

এল/সি, টি/টি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, পেপ্যাল, ক্রেডিট কার্ড ইত্যাদি.

চালান

সমুদ্রপথে, বায়ু দ্বারা, এক্সপ্রেস দ্বারা, গ্রাহকদের অনুরোধ হিসাবে.

স্টোরেজ শর্তাবলী

1) ঘরের তাপমাত্রায় শুষ্ক পরিবেশে সংরক্ষণ করুন.

2) স্যাঁতসেঁতে এবং উচ্চ তাপমাত্রা এড়িয়ে চলুন.

3) ভিতরের প্যাকিং ব্যাগ খোলার সাথে সাথে ব্যবহার করুন.

5 FAQs of DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components

The DIODE IXDN55N120D1 IGBT module handles high-power switching. এটি মোটর ড্রাইভে কাজ করে, ইনভার্টার, শিল্প শক্তি সিস্টেম. The module manages up to 1200V voltage, 55A current. It suits applications needing fast switching with low energy loss. Engineers use it for reliable control in heavy-duty equipment.

What voltage and current ratings does the IXDN55N120D1 support? The module’s maximum voltage is 1200V. Its continuous current rating is 55A. Peak current reaches 110A for short durations. These specs ensure stable operation in high-power environments. The design prevents overheating under normal conditions.

How does this IGBT module compare to standard thyristors? It switches faster than traditional thyristors. The IGBT structure reduces energy loss during operation. It handles higher frequencies better. This makes it more efficient in modern power systems. Standard thyristors still work for simpler, low-frequency tasks.

What cooling methods work best for this module? Proper heat management is critical. Use a heatsink with thermal paste for direct mounting. Air or liquid cooling maintains safe temperatures. Follow the datasheet’s thermal resistance guidelines. Overheating shortens the component’s lifespan.

Can the IXDN55N120D1 handle short-circuit conditions? It has built-in short-circuit protection. This lasts up to 10 মাইক্রোসেকেন্ড. The module shuts down if faults persist. External protection circuits add extra safety. Always test the system under expected fault scenarios.

Where is this IGBT module commonly used? Industrial motor drives, ইউপিএস সিস্টেম, renewable energy inverters use it. Electric vehicle charging stations and welding equipment also apply it. The module fits any setup requiring robust power control. Check compatibility with your circuit parameters first.

(DIODE IXDN55N120D1 IGBT MODULE Thyristor SCR electronic components)