STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120

نظرة عامة علىوحدات الثايرستور

تعد وحدات الثايرستور مكونات رئيسية في تكنولوجيا إلكترونيات الطاقة. وهي تتكون من واحد أو أكثر من الثايرستور مغلف في غلاف مدمج. الثايرستور مكون من أربع طبقات, أجهزة أشباه الموصلات ثلاثية الأطراف التي تستخدم بشكل أساسي في التطبيقات التي تتحكم وتنظم التيار المتردد أو التيار المستمر عالي الطاقة. يمكنهم التحول بسرعة من حالة المعاوقة العالية إلى حالة التوصيل ذات المعاوقة المنخفضة بناءً على إشارة الزناد, وبالتالي تحقيق السيطرة الدقيقة على التيار.

مميزات وفوائدوحدات الثايرستور

القدرة على التعامل مع الطاقة العالية: يمكن لوحدات الثايرستور أن تتحمل الفولتية والتيارات العالية للغاية, مما يجعلها مناسبة لأنظمة تحويل الطاقة والتحكم فيها من الدرجة الصناعية.

وقت الاستجابة سريع: تضمن أوقات التبديل القصيرة جدًا والخسائر المنخفضة تشغيلًا عالي الكفاءة.

الموثوقية والمتانة: تصميم متين, عملية مستقرة في البيئات القاسية, وحياة طويلة.

التكامل السهل: يعمل التصميم المعياري على تبسيط عملية التثبيت ويقلل من متطلبات الصيانة.

حماية الزائد: تعمل آليات الحماية المدمجة مثل الحماية من درجة الحرارة الزائدة والتيار الزائد على تعزيز سلامة النظام.

تطبيقات متعددة الاستخدامات: يستخدم على نطاق واسع في مجموعة متنوعة من التطبيقات التي تتطلب تحكمًا دقيقًا في التيار.

(STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120)

Specification of STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120

The STOCK 70HF120 is a high-performance electronic devices part made for durable power management and switching applications. It integrates sophisticated semiconductor modern technologies, including IGBT components, الثنائيات, الثايرستور, SCRs, transistors, MOSFETs, and IC chips, to supply efficient and dependable performance in commercial, آلي, وأنظمة الطاقة المتجددة.

** Key Specs: **.
– ** تصنيف الجهد: ** The IGBT component sustains a maximum collector-emitter voltage (V_م) من 1200 فولت, making it ideal for high-voltage circuits.
– ** Present Handling: ** Constant enthusiast existing (I_C) of 70A at 25 درجة مئوية, with rise existing tolerance approximately 140A for brief durations.
– ** Switching over Rate: ** Rapid changing attributes with turn-on/off times in the nanosecond array, decreasing power loss during shifts.
– ** Thermal Performance: ** Low thermal resistance (R_{th( j-c)} ≥ 0.25 درجة مئوية/ث) makes certain reliable heat dissipation, supporting procedure at joint temperature levels approximately 150 درجة مئوية.
– ** Integrated Diodes: ** Integrated anti-parallel independent diodes with reverse recovery time (t_rr) < 100ns for smooth inductive tons handling. - ** Thyristor/SCR Features: ** Forward blocking voltage approximately 1200V, entrance trigger existing (I_GT) of 30mA, and locking existing (I_ل) of 200mA for specific control in air conditioner power applications.
– ** MOSFET Parameters: ** Low on-resistance (R_{DS( على)} < 25mΩ) and high-speed switching for minimized transmission losses. - ** IC Chips: ** Integrated driver and protection circuits for overcurrent, overtemperature, and short-circuit avoidance. ** Applications: **. The 70HF120 is perfect for inverters, electric motor drives, UPS systems, welding equipment, and solar/wind power converters. Its sturdy style makes certain security under extreme problems, including voltage spikes and temperature level fluctuations. ** Plan: **. Housed in a compact, protected component with screw terminals or press-fit pins for simple setup. Compliant with RoHS and UL standards for safety and environmental sustainability. ** Advantages: **. - High performance and toughness as a result of advanced semiconductor products. - Simplified thermal management with maximized product packaging. - Versatile compatibility with analog and electronic control systems. This part is an affordable service for upgrading power electronics systems, providing a balance of performance, dependability, and durability.

(STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120)

Applications of STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120

ملف الشركة

لويانغ داتانغ تكنولوجيا الطاقة المحدودة(sales@pddn.com) هي واحدة من الشركات الرائدة في مجال تكنولوجيا إلكترونيات الطاقة ومنتجات الطاقة, والتي تشارك بشكل كامل في تطوير محولات الطاقة الشمسية， محولات, منظمات الجهد, خزائن التوزيع, الثايرستور， وحدات， الثنائيات， سخانات, وغيرها من الأجهزة الإلكترونية أو أشباه الموصلات. سنلتزم بتزويد المستخدمين بجودة عالية, منتجات فعالة وخدمة مراعية.

ويقبل الدفع عن طريق بطاقة الائتمان, تي/تي, اتحاد غرب, وباي بال. ستقوم PDDN بشحن البضائع إلى العملاء في الخارج من خلال FedEx, دي إتش إل, عن طريق البحر, أو عن طريق الجو. If you want high-quality STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120, من فضلك أرسل لنا الاستفسارات; سنكون هنا لمساعدتك.

طرق الدفع

خطاب الاعتماد, تي/تي, ويسترن يونيون, باي بال, بطاقة الائتمان الخ.

شحنة

عن طريق البحر, عن طريق الجو, بواسطة صريحة, حسب طلب العملاء.

شروط التخزين

1) تخزينها في بيئة جافة في درجة حرارة الغرفة.

2) تجنب الرطوبة وارتفاع درجة الحرارة.

3) استخدمه مباشرة بعد فتح كيس التغليف الداخلي.

5 FAQs of STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120

(STOCK electronics component IGBT MODULE Diode Thyristor SCR transistors mosfet IC chips 70HF120)